7月1日，韓國三星先進技術(shù)研究院與首爾國立大學的聯(lián)合研究團隊在國際學術(shù)期刊《NATURE》(自然)發(fā)表最新MicroLED研究成果，其成功研發(fā)出直徑1.5微米的高效紅光InGaN基MicroLED，峰值外量子效率(EQE)達6.5%，峰值波長649nm，且具備柔性特性，可突破AR、VR等元宇宙設(shè)備微型化、高清化顯示的關(guān)鍵瓶頸。

　　具有不同ALD鈍化層的紅光納米LED的光致發(fā)光(PL)和電致發(fā)光(EL)(圖片來源：NATURE)

　　研究團隊采用1nm厚的外延氮化鋁(AlN)鈍化層技術(shù)，通過氬等離子體輔助原子層沉積(ALD)工藝，在MicroLED側(cè)壁形成單晶AlN薄膜。這種超薄鈍化層能有效減少非輻射復合，解決了傳統(tǒng)紅光MicroLED因尺寸縮小(<5微米)導致的效率驟降問題。對比實驗顯示，該技術(shù)使光致發(fā)光強度提升2.5倍，發(fā)光衰減時間延長4倍，遠超傳統(tǒng)二氧化鉿(HfO?)或三氧化二鋁(Al?O?)鈍化層的性能。

　　而為實現(xiàn)Micro LED柔性顯示，研發(fā)團隊將MicroLED陣列倒裝鍵合到聚酰亞胺(PI)基板，通過控制界面附著力實現(xiàn)硅襯底無剝離移除，最終獲得厚度不足20μm的柔性器件。測試結(jié)果表明，這種柔性紅光MicroLED在彎曲狀態(tài)下仍保持穩(wěn)定發(fā)光，亮度均勻性良好。

　　柔性e-AlN鈍化紅色Micro LED的器件轉(zhuǎn)移(圖片來源：NATURE)

　　研究團隊表示，該成果突破了紅光MicroLED效率與尺寸、剛性基板的限制。其1.5μm的發(fā)光尺寸和6.5%的EQE，滿足超高密度(>5000ppi)顯示需求，可應用于AR眼鏡甚至電子隱形眼鏡等下一代設(shè)備。未來，通過優(yōu)化銦鎵氮外延層和集成驅(qū)動電路，有望進一步提升效率均勻性，推動全彩柔性MicroLED顯示的商業(yè)化進程。